-0.3A,-20V,P沟道功率MOSFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.5Ω @200mA,10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.4V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features • Low RDSon Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SC−70/SOT−323 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available 描述与应用| •低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SC-70/SOT-323表面贴装封装的节省电路板空间 •无铅包装是可用
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -300 mA
通道数 1
漏源极电阻 2.2 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 150 mW
输入电容 50.0 pF
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 300 mA
上升时间 1 ns
输入电容Ciss 50pF @5VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBF2202PT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTS4101PT1G 安森美 | 类似代替 | MMBF2202PT1G和NTS4101PT1G的区别 |
MMBF2202PT1 安森美 | 类似代替 | MMBF2202PT1G和MMBF2202PT1的区别 |
NTS4101PT1 安森美 | 类似代替 | MMBF2202PT1G和NTS4101PT1的区别 |