MNR35J5RJ101参数规格_中文资料_数据手册PDF

MNR35J5RJ101概述

Res Ntwk Array 100Ω 0.063W1/16W 5% 1206 8Element SMD

100 Ohm ±5% 62.5mW Power Per Element Bussed Resistor Network/Array ±200ppm/°C 2512 6432 Metric, Convex, Long Side Terminals

得捷:
RES ARRAY 8 RES 100 OHM 2512

安富利:
RES NTWK ARRAY 100 OHM 1/16W 5% 1206 8 ELEMENT SMD

MNR35J5RJ101中文资料参数规格

技术参数

触点数 10

额定电压DC 50.0 V

容差 ±5 %

额定功率 63.0 mW

电阻 100 Ω

阻值偏差 ±5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装公制 6432

封装 2512

外形尺寸

长度 6.40 mm

宽度 3.10 mm

高度 550 µm

封装公制 6432

封装 2512

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

制造应用汽车级 AEC-Q200

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MNR35J5RJ101

型号： MNR35J5RJ101

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Res Ntwk Array 100Ω 0.063W1/16W 5% 1206 8Element SMD

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