MTP3055VL

增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MTP3055VL, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

得捷:
MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3

立创商城:
MTP3055VL

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube