STMICROELECTRONICS MJ802 单晶体管 双极, NPN, 90 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 100 hFE
Bipolar BJT Transistor NPN 90V 30A 2MHz 200W Chassis Mount TO-3
得捷:
TRANS NPN 90V 30A TO3
e络盟:
STMICROELECTRONICS MJ802 单晶体管 双极, NPN, 90 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 100 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Bag
Verical:
Trans GP BJT NPN 90V 30A 3-Pin2+Tab TO-3 Bag
频率 2 MHz
额定电压DC 90.0 V
额定电流 30.0 A
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 200 W
集电极击穿电压 100 V
击穿电压集电极-发射极 90 V
最小电流放大倍数hFE 25 @7.5A, 2V
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-3
封装 TO-3
材质 Silicon
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJ802 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
MJ802G 安森美 | 功能相似 | MJ802和MJ802G的区别 |
NTE181 NTE Electronics | 功能相似 | MJ802和NTE181的区别 |
2N5301 Multicomp | 功能相似 | MJ802和2N5301的区别 |