MBR20035CT

MBR20035CT图片1
MBR20035CT图片2
MBR20035CT图片3
MBR20035CT图片4
MBR20035CT概述

Diode Schottky 35V 200A 3Pin3+Tab Twin Tower

阵列 1 对共阴极 肖特基 35 V 200A(DC) 底座安装 双塔架


得捷:
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER


艾睿:
Diode Schottky 35V 200A 3-Pin3+Tab Twin Tower


AMEYA360:
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Std Config - 35V - 200A - Twin Tower


MBR20035CT中文资料参数规格
技术参数

正向电压 650mV @100A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1500 A

正向电压Max 650mV @100A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Twin Tower

外形尺寸

封装 Twin Tower

物理参数

工作温度 125 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MBR20035CT
型号: MBR20035CT
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 35V 200A 3Pin3+Tab Twin Tower

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司