MJ10012

MJ10012概述

功率达林顿晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICON

NPN Silicon Power Darlington Transistor

The and MJH10012 are high–voltage, high–current Darlington transistors designed for automotive ignition, switching regulator and motor control applications.

• Collector–Emitter Sustaining Voltage —

    VCEOsus= 400 Vdc Min

• 175 Watts Capability at 50 Volts

• Automotive Functional Tests


艾睿:
Trans Darlington NPN 400V 10A 175000mW 3-Pin2+Tab TO-204AA


MJ10012中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 175000 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 175000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJ10012
型号: MJ10012
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:功率达林顿晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICON
替代型号MJ10012
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJ10012

ON Semiconductor 安森美

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