放大器晶体管电压和电流是负的PNP晶体管 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors
- 双极 BJT - 单 NPN 150MHz 通孔 TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 60V 0.5A TO92
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 500mA 60V NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MPS8098G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N4400 NTE Electronics | 类似代替 | MPS8098G和2N4400的区别 |
2N4400LEADFREE Central Semiconductor | 功能相似 | MPS8098G和2N4400LEADFREE的区别 |
MPS8098 Continental Device | 功能相似 | MPS8098G和MPS8098的区别 |