






达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon
Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 500mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92 TO-226
得捷:
TRANS NPN DARL 80V 0.5A TO92
贸泽:
达林顿晶体管 500mA 80V NPN
艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead