通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon
Bipolar BJT Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPS2222ARLRP ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPS2222ARLRA 安森美 | 完全替代 | MPS2222ARLRP和MPS2222ARLRA的区别 |
MPS2222AZL1G 安森美 | 完全替代 | MPS2222ARLRP和MPS2222AZL1G的区别 |
MPS2222AZL1 安森美 | 完全替代 | MPS2222ARLRP和MPS2222AZL1的区别 |