MGSF2N02ELT1

2.8安培， 20伏， N沟道SOT- 23 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.8A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.085Ω/Ohm @3.6A,4.5v 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.25W Description & Applications| Power MOSFET 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 These miniature surface mount MOSFETs low RDSon assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. • Pb−Free Packages are Available • Low RDSon Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • IDSS Specified at Elevated Temperature 描述与应用| 功率MOSFET 2.8安培，20伏，N沟道SOT-23 这些微型表面贴装MOSFET的低RDS（ON）保证 最小的功率损耗，节约能源，使这些设备的理想选择 使用空间敏感的电源管理电路。 •无铅包可用 •低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •IDSS指定高温