MG0675S-BN4MM

MG0675S-BN4MM图片1
MG0675S-BN4MM图片2
MG0675S-BN4MM图片3
MG0675S-BN4MM图片4
MG0675S-BN4MM概述

LITTELFUSE MG0675S-BN4MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 100A, 1.45V, 250W, 600V, Module

IGBT 模块 - 半桥 底座安装 S3


得捷:
IGBT MODULE 600V 75A 250W S3


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 100A 7-Pin Case S Bulk


Newark:
# LITTELFUSE  MG0675S-BN4MM  IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 100 A, 1.45 V, 250 W, 600 V, Module


MG0675S-BN4MM中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 250 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 4.6nF @25V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 S-3

外形尺寸

高度 30.5 mm

封装 S-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MG0675S-BN4MM
型号: MG0675S-BN4MM
描述:LITTELFUSE MG0675S-BN4MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 100A, 1.45V, 250W, 600V, Module

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司