MT47H64M8JN-25E:G

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MT47H64M8JN-25E:G概述

DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb 64M x 8 Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA 8x10


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray


MT47H64M8JN-25E:G中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.80 V

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MT47H64M8JN-25E:G引脚图与封装图
MT47H64M8JN-25E:G引脚图
MT47H64M8JN-25E:G封装图
MT47H64M8JN-25E:G封装焊盘图
在线购买MT47H64M8JN-25E:G
型号: MT47H64M8JN-25E:G
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA
替代型号MT47H64M8JN-25E:G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT47H64M8JN-25E:G

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT47H64M8SH-25E:H

镁光

完全替代

MT47H64M8JN-25E:G和MT47H64M8SH-25E:H的区别

MT47H64M8CF-25E:G

镁光

类似代替

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MT47H64M8CF-25EIT:G

镁光

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