MR0D08BMA45R

MR0D08BMA45R图片1
MR0D08BMA45R图片2
MR0D08BMA45R图片3
MR0D08BMA45R概述

Memory Circuit, 128KX8, PBGA48, 8 X 8MM, 0.75MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-48

MRAM(磁阻式 RAM) 存储器 IC 1Mb(128K x 8) 并联 45 ns 48-FBGA(8x8)


得捷:
IC RAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA


立创商城:
MR0D08BMA45R


贸泽:
NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 45ns Parallel MRAM


艾睿:
NVRAM MRAM Parallel 1M-Bit 3.3V 48-Pin FBGA T/R


Win Source:
IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA


MR0D08BMA45R中文资料参数规格
技术参数

存取时间 45 ns

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 BGA-48

外形尺寸

封装 BGA-48

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MR0D08BMA45R
型号: MR0D08BMA45R
制造商: Everspin Technologies
描述:Memory Circuit, 128KX8, PBGA48, 8 X 8MM, 0.75MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-48
替代型号MR0D08BMA45R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MR0D08BMA45R

Everspin Technologies

当前型号

当前型号

MR0D08BMA45

Everspin Technologies

完全替代

MR0D08BMA45R和MR0D08BMA45的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台