MT47H64M8SH-25E IT:H

MT47H64M8SH-25E IT:H图片1
MT47H64M8SH-25E IT:H图片2
MT47H64M8SH-25E IT:H概述

512M 64M x 8 2.5ns 1.7V to 1.9V Parallel DDR2 SDRAM - TFBGA-60

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 400 MHz 400 ps 60-FBGA(8x10)


立创商城:
MT47H64M8SH-25E IT:H


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA


富昌:
512M 64M x 8 2.5 ns 1.7 V to 1.9 V Parallel DDR2 SDRAM - TFBGA-60


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA


MT47H64M8SH-25E IT:H中文资料参数规格
技术参数

供电电流 125 mA

时钟频率 400 MHz

位数 8

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MT47H64M8SH-25E IT:H引脚图与封装图
MT47H64M8SH-25E IT:H引脚图
MT47H64M8SH-25E IT:H封装图
MT47H64M8SH-25E IT:H封装焊盘图
在线购买MT47H64M8SH-25E IT:H
型号: MT47H64M8SH-25E IT:H
制造商: Micron 镁光
描述:512M 64M x 8 2.5ns 1.7V to 1.9V Parallel DDR2 SDRAM - TFBGA-60
替代型号MT47H64M8SH-25E IT:H
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT47H64M8SH-25E IT:H

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT47H64M8JN-25E IT:G

镁光

完全替代

MT47H64M8SH-25E IT:H和MT47H64M8JN-25E IT:G的区别

MT47H64M8CF-25E IT:G TR

镁光

类似代替

MT47H64M8SH-25E IT:H和MT47H64M8CF-25E IT:G TR的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台