MR2A08AMYS35R参数规格_中文资料_数据手册PDF

MR2A08AMYS35R概述

磁性随机存取存储器 MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel 磁性随机存取存储器 MRAM

MRAM Magnetoresistive RAM Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 35ns 44-TSOP2

得捷:
IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2

贸泽:
磁性随机存取存储器 MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel 磁性随机存取存储器 MRAM

艾睿:
MRAM 4Mbit Parallel Interface 3.3V Automotive 44-Pin TSOP-II T/R

MR2A08AMYS35R中文资料参数规格

技术参数

存取时间 35 ns

存取时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MR2A08AMYS35R

型号： MR2A08AMYS35R

制造商： Everspin Technologies

描述：磁性随机存取存储器 MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel 磁性随机存取存储器 MRAM

替代型号MR2A08AMYS35R

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MR2A08AMYS35R Everspin Technologies	当前型号	当前型号
MR2A08AMYS35 Everspin Technologies	完全替代	MR2A08AMYS35R和MR2A08AMYS35的区别
MR2A08ACYS35R Everspin Technologies	类似代替	MR2A08AMYS35R和MR2A08ACYS35R的区别
MR2A08AYS35R Everspin Technologies	类似代替	MR2A08AMYS35R和MR2A08AYS35R的区别