MT48V8M16LFB4-8:G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT48V8M16LFB4-8:G概述

DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin VFBGA Tray

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 125MHz 7ns 54-VFBGA 8x8

得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA

艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54-Pin VFBGA Tray

Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 54-Pin VFBGA Tray

MT48V8M16LFB4-8:G中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 2.50 V, 2.70 V max

工作电压 2.50 V

时钟频率 125MHz max

位数 16

存取时间 125 µs

内存容量 128000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 VFBGA-54

外形尺寸

高度 0.65 mm

封装 VFBGA-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MT48V8M16LFB4-8:G

型号： MT48V8M16LFB4-8:G

描述：DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin VFBGA Tray

替代型号MT48V8M16LFB4-8:G