可变电容二极管硅外延平面型对于VCO用于压控振荡器良好的线性度和大电容率低电容高频类型超小型封装1.0毫米×0.6毫米(高度:0.52毫米),最适合高密度安装和高速安装
反向电压VRReverse Voltage| 8V \---|--- 电容值CDiode capacitance| 2.77pF-3.01pF @反向电压VR@Reverse Voltage| 1V 电容值CDiode capacitance| 1.23pF-1.34pF @反向电压VR@Reverse Voltage| 4V 电容比Capacitance ratio| 2.16-2.34 Description & Applications| Variable Capacitance Diodes Silicon epitaxial planar type For VCO Good linearity and large capacitance-ratio in CD − VR relation High frequency type by this low capacitance Ultraminiature Package 1.0 mm × 0.6 mm height: 0.52 mm,optimum for high-density mounting and high-speed mounting 描述与应用| 可变电容 硅外延平面型对于VCO 用于压控振荡器 良好的线性度和大电容率 低电容高频类型 超小型封装1.0毫米×0.6毫米(高度:0.52毫米),最适合高密度安装和高速安装