MJL21196

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MJL21196概述

16互补硅功率晶体管250 V , 200瓦 16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

The MJL21195 and utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.

•Total Harmonic Distortion Characterized

•High DC Current Gain −hFE= 25 Min @ IC= 8 Adc

•Excellent Gain Linearity

•High SOA: 2.50 A, 80 V, 1 Second

•Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in

•ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V

Machine Model, C 400 V

•Pb−Free Packages are Available
.
MJL21196中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 16.0 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 16A

最小电流放大倍数hFE 25 @8A, 5V

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJL21196
型号: MJL21196
描述:16互补硅功率晶体管250 V , 200瓦 16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W
替代型号MJL21196
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJL21196

ON Semiconductor 安森美

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MJL21196G

安森美

完全替代

MJL21196和MJL21196G的区别

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