MMDF3N02HDR2概述
功率MOSFET 3安培， 20伏特N沟道SO- ，双 Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts N-Channel SO-, DuaL
表面贴装型 N 通道 3.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC
得捷:
MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC
贸泽:
MOSFET 20V 3A N-Channel
MMDF3N02HDR2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.80 A
通道数 2
漏源极电阻 90 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 630 pF
栅电荷 18.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.80 A
输入电容Ciss 630pF @16VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买MMDF3N02HDR2
型号： MMDF3N02HDR2
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：功率MOSFET 3安培， 20伏特N沟道SO- ，双 Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts N-Channel SO-, DuaL