NXP MMBZ20VAL 静电保护装置, TVS, 28 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 360 mW
The is a low capacitance unidirectional double ESD Protection Diode in a common anode configuration. The device is designed for ESD and transient overvoltage protection of up to two signal lines.
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- Unidirectional ESD protection of two lines
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- ESD protection up to 30kV contact discharge
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- Bidirectional ESD protection of one line
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- IEC 61000-4-2, level 4 ESD
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- * 40W Rated peak pulse power PPPM
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- 5nA Ultra low leakage current IRM
工作电压 900 mV
针脚数 3
耗散功率 360 mW
钳位电压 28 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 21 V
脉冲峰值功率 40 W
最小反向击穿电压 19 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.1 mm
封装 TO-236
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Audio, Automotive, Imaging, Consumer Electronics, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Video & Vision
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBZ20VAL NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBZ20VAL,215 恩智浦 | 完全替代 | MMBZ20VAL和MMBZ20VAL,215的区别 |
MMBZ20VALT1G 安森美 | 功能相似 | MMBZ20VAL和MMBZ20VALT1G的区别 |