MCP662-E/SN

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MCP662-E/SN概述

MICROCHIP  MCP662-E/SN  运算放大器, 双路, AEC-Q100, 60 MHz, 2个放大器, 32 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚

MCP660/661/662/663/664/665/669

### 运算放大器,


欧时:
### MCP660/661/662/663/664/665/669 Operational Amplifiers### 运算放大器,Microchip


立创商城:
MCP662-E/SN


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


e络盟:
运算放大器, 双路, AEC-Q100, 60 MHz, 2个放大器, 32 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
Op Amp Dual High Speed Amplifier R-R O/P 5.5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube


Allied Electronics:
Op Amp, Dual, 60MHz OP, E Temp, 8 SOIC .150in Tube


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC N Tube


Chip1Stop:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube


TME:
Operational amplifier; 60MHz; 2.5÷5.5V; Channels:2; SO8


Verical:
Op Amp Dual High Speed Amplifier R-R O/P 5.5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube


Newark:
# MICROCHIP  MCP662-E/SN  Operational Amplifier, Dual, 60 MHz, 2, 32 V/ s, 2.5V to 5.5V, SOIC, 8


DeviceMart:
IC OPAMP R-R 60MHZ DUAL 8SOIC


MCP662-E/SN中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.50V min

工作电压 2.5V ~ 5.5V

输出电流 ≤150 mA

供电电流 6 mA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

共模抑制比 64 dB

静态电流 9 mA

输入补偿漂移 2.00 µV/K

带宽 60 MHz

转换速率 32.0 V/μs

增益频宽积 60 MHz

输入补偿电压 1.8 mV

输入偏置电流 6 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 60 MHz

共模抑制比Min 64 dB

电源电压 2.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 信号处理, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

MCP662-E/SN引脚图与封装图
MCP662-E/SN引脚图
MCP662-E/SN封装图
MCP662-E/SN封装焊盘图
在线购买MCP662-E/SN
型号: MCP662-E/SN
制造商: Microchip 微芯
描述:MICROCHIP  MCP662-E/SN  运算放大器, 双路, AEC-Q100, 60 MHz, 2个放大器, 32 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚
替代型号MCP662-E/SN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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MCP662-E/SN和MCP662T-E/SN的区别

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