MICROCHIP MCP662-E/SN 运算放大器, 双路, AEC-Q100, 60 MHz, 2个放大器, 32 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚
MCP660/661/662/663/664/665/669
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欧时:
### MCP660/661/662/663/664/665/669 Operational Amplifiers### 运算放大器,Microchip
立创商城:
MCP662-E/SN
得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
e络盟:
运算放大器, 双路, AEC-Q100, 60 MHz, 2个放大器, 32 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚
艾睿:
Op Amp Dual High Speed Amplifier R-R O/P 5.5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube
Allied Electronics:
Op Amp, Dual, 60MHz OP, E Temp, 8 SOIC .150in Tube
安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC N Tube
Chip1Stop:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube
TME:
Operational amplifier; 60MHz; 2.5÷5.5V; Channels:2; SO8
Verical:
Op Amp Dual High Speed Amplifier R-R O/P 5.5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube
Newark:
# MICROCHIP MCP662-E/SN Operational Amplifier, Dual, 60 MHz, 2, 32 V/ s, 2.5V to 5.5V, SOIC, 8
DeviceMart:
IC OPAMP R-R 60MHZ DUAL 8SOIC
电源电压DC 2.50V min
工作电压 2.5V ~ 5.5V
输出电流 ≤150 mA
供电电流 6 mA
电路数 2
通道数 2
针脚数 8
共模抑制比 64 dB
静态电流 9 mA
输入补偿漂移 2.00 µV/K
带宽 60 MHz
转换速率 32.0 V/μs
增益频宽积 60 MHz
输入补偿电压 1.8 mV
输入偏置电流 6 pA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
增益带宽 60 MHz
共模抑制比Min 64 dB
电源电压 2.5V ~ 5.5V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.25 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 信号处理, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MCP662-E/SN Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
MCP662T-E/SN 微芯 | 完全替代 | MCP662-E/SN和MCP662T-E/SN的区别 |
MCP622-E/SN 微芯 | 类似代替 | MCP662-E/SN和MCP622-E/SN的区别 |
MCP652-E/SN 微芯 | 类似代替 | MCP662-E/SN和MCP652-E/SN的区别 |