MID100-12A3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MID100-12A3概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 560000mW 7Pin Y4-M5

IGBT 模块 NPT 单路 1200 V 135 A 560 W 底座安装 Y4-M5

得捷:
IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 560000mW 7-Pin Y4-M5

MID100-12A3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 560000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.5nF @25V

额定功率Max 560 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 560000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 Y4-M5

外形尺寸

封装 Y4-M5

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MID100-12A3

型号： MID100-12A3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 560000mW 7Pin Y4-M5