Igbt Module 650V 490A
IGBT Module PT Half Bridge 650V 720A 1750W Chassis Mount Module
得捷: IGBT MOD 650V 720A 1750W
艾睿: Trans IGBT Module N-CH 650V 720A 1750000mW SimBus F
击穿电压集电极-发射极 650 V
额定功率Max 1750 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1750000 mW
安装方式 Chassis
封装 Module
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册