

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™
### MOSFET ,IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
得捷:
MOSFET N-CH 1100V 24A 24SMPD
欧时:
### N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
极性 N-CH
耗散功率 500W Tc
漏源极电压Vds 1100 V
连续漏极电流Ids 24A
输入电容Ciss 19000pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 24
封装 PowerSMD-24
长度 25.25 mm
宽度 23.25 mm
高度 5.7 mm
封装 PowerSMD-24
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free