MMRF1312HR5

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MMRF1312HR5概述

RF Power Transistor,900 to 1215MHz, 1000W, Typ Gain in dB is 17.3 @ 960MHz, 52V, LDMOS, SOT1787

RF Mosfet LDMOS Dual 50V 100mA 1.03GHz 19.6dB 1000W NI-1230-4H


得捷:
TRANS 900-1215MHZ 1000W PEAK 50V


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 112V 5-Pin NI-1230H T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 112V 5-Pin NI-1230H T/R


RfMW:
RF Power Transistor,900 to 1215 MHz, 1000 W, Typ Gain in dB is 17.3 @ 960 MHz, 52 V, LDMOS, SOT1787


MMRF1312HR5中文资料参数规格
技术参数

频率 1.03 GHz

耗散功率 1053000 mW

输出功率 1000 W

增益 19.6 dB

测试电流 100 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1053000 mW

额定电压 112 V

电源电压 52 V

封装参数

引脚数 5

封装 NI-1230-4H

外形尺寸

封装 NI-1230-4H

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMRF1312HR5
型号: MMRF1312HR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,900 to 1215MHz, 1000W, Typ Gain in dB is 17.3 @ 960MHz, 52V, LDMOS, SOT1787

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