MT29F8G16ABBCAH4:C

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MT29F8G16ABBCAH4:C概述

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8Gbit 512M x 16Bit 63Pin VFBGA

闪存 - NAND 存储器 IC 8Gb(512M x 16) 并联 63-VFBGA(9x11)


得捷:
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA


艾睿:
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8G-bit 512M x 16 63-Pin VFBGA


安富利:
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8Gbit 512M x 16Bit 63-Pin VFBGA


Chip1Stop:
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8G-bit 512M x 16 63-Pin VFBGA


Verical:
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8G-bit 512M x 16 63-Pin VFBGA


MT29F8G16ABBCAH4:C中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.80 V

供电电流 20 mA

内存容量 1000000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 63

封装 VFBGA-63

外形尺寸

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MT29F8G16ABBCAH4:C
型号: MT29F8G16ABBCAH4:C
制造商: Micron 镁光
描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8Gbit 512M x 16Bit 63Pin VFBGA
替代型号MT29F8G16ABBCAH4:C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT29F8G16ABBCAH4:C

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT29F8G16ADBDAH4:D

镁光

完全替代

MT29F8G16ABBCAH4:C和MT29F8G16ADBDAH4:D的区别

MT29F8G16ABBCAH4-IT:C

镁光

完全替代

MT29F8G16ABBCAH4:C和MT29F8G16ABBCAH4-IT:C的区别

MT29F8G16ABBCAH4:C TR

镁光

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MT29F8G16ABBCAH4:C和MT29F8G16ABBCAH4:C TR的区别

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