MG12600WB-BR2MM参数规格_中文资料_数据手册PDF

MG12600WB-BR2MM概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 750A 2500000mW 11Pin Bulk

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 750A 2500W Chassis Mount WB

得捷:
IGBT MODULE 1200V 750A 2500W WB

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 750A 2500000mW 11-Pin Bulk

Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 750A 2500000mW 11-Pin Bulk

MG12600WB-BR2MM中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2500000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 60.5nF @25V

额定功率Max 2500 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2500000 mW

封装参数

引脚数 11

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MG12600WB-BR2MM

型号： MG12600WB-BR2MM

描述：Trans IGBT Module N-CH 1200V 750A 2500000mW 11Pin Bulk