MSC1350M

MSC1350M概述

RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, S042

RF Transistor NPN 65V 19.8A 1.025GHz ~ 1.15GHz 720W Chassis Mount M218


得捷:
RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218


贸泽:
RF Bipolar Transistors Avionics/Bipolar Transistor


艾睿:
RF MICROWAVE TRANSISTORS


MSC1350M中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 65 V

增益 7dB ~ 7.1dB

最小电流放大倍数hFE 15 @1A, 5V

额定功率Max 720 W

封装参数

安装方式 Chassis

封装 M218

外形尺寸

封装 M218

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MSC1350M
型号: MSC1350M
描述:RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, S042

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