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MJD50TF概述

ON Semiconductor MJD50TF , NPN 晶体管, 1 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 DPAK TO-252封装

高电压 NPN ，Fairchild Semiconductor

立创商城:
MJD50TF

得捷:
TRANS NPN 400V 1A DPAK

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ON Semiconductor MJD50TF , NPN 晶体管, 1 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 DPAK TO-252封装

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Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R

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Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R

MJD50TF中文资料参数规格

技术参数

频率 10 MHz

耗散功率 1.56 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V

额定功率Max 1.56 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1560 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： MJD50TF

描述：ON Semiconductor MJD50TF , NPN 晶体管, 1 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 DPAK TO-252封装

替代型号MJD50TF