MJE350STU

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MJE350STU概述

ON Semiconductor MJE350STU , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 TO-126封装

高电压 PNP ,Fairchild Semiconductor

### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor

双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


得捷:
TRANS PNP 300V 0.5A TO126-3


立创商城:
PNP 300V 500mA


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ON Semiconductor MJE350STU , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 TO-126封装


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20 W, -500 mA, 30 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-126 Tube


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Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


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MJE350系列 300 V CE击穿 0.5 A PNP 外延硅 晶体管 TO-126


Chip1Stop:
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Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-126 Tube


MJE350STU中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

额定功率Max 20 W

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJE350STU
型号: MJE350STU
描述:ON Semiconductor MJE350STU , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 TO-126封装
替代型号MJE350STU
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