ON Semiconductor MJE350STU , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 TO-126封装
高电压 PNP ,Fairchild Semiconductor
### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor
双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
得捷:
TRANS PNP 300V 0.5A TO126-3
立创商城:
PNP 300V 500mA
欧时:
ON Semiconductor MJE350STU , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 TO-126封装
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20 W, -500 mA, 30 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-126 Tube
安富利:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
富昌:
MJE350系列 300 V CE击穿 0.5 A PNP 外延硅 晶体管 TO-126
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-126 Tube
针脚数 3
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V
额定功率Max 20 W
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 20000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 工业, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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