光电耦合器, Transistor Output, 1通道, SOIC, 8 引脚, 60 mA, 2.5 kV, 100 %
These devices consist of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a monolithic silicon phototransistor detector, in a surface mountable, small outline, plastic package. They are ideally suited for high-density applications, and eliminate the need for through-the-board mounting.
Features
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上升/下降时间 3.2µs, 4.7µs
通道数 1
针脚数 8
正向电压 1.07 V
输入电流 60 mA
耗散功率 250 mW
上升时间 3 µs
隔离电压 2500 Vrms
正向电流 60 mA
输出电压Max 30 V
正向电压Max 1.3 V
正向电流Max 60 mA
下降时间 3 µs
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 100℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial Motor, Consumer Appliances
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99