PDTC115TT,215

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PDTC115TT,215概述

TO-236AB NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
PDTC115T 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23-3


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


PDTC115TT,215中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTC115TT,215
型号: PDTC115TT,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:TO-236AB NPN 50V 100mA
替代型号PDTC115TT,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTC115TT,215

NXP 恩智浦

当前型号

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