ON SEMICONDUCTOR PZT651T1G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 75 MHz, 800 mW, 2 A, 75 hFE
通用 PNP ,超过 1A,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN 60V 2A SOT223
立创商城:
PZT651T1G
欧时:
ON Semiconductor PZT651T1G , NPN 晶体管, 2 A, Vce=60 V, HFE:40, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
e络盟:
单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 75 MHz, 800 mW, 2 A, 75 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 2A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 2A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR PZT651T1G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 75 MHz, 800 mW, 2 A, 75 hFE
Win Source:
TRANS NPN 60V 2A SOT223
DeviceMart:
TRANS SS HC NPN 2A 60V SOT223
频率 75 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 2 A
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 800 mW
增益频宽积 75 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 75 @1A, 2V
额定功率Max 800 mW
直流电流增益hFE 75
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.65 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
重量 0.004535924 kg
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PZT651T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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