PZT651T1G

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PZT651T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  PZT651T1G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 75 MHz, 800 mW, 2 A, 75 hFE

通用 PNP ,超过 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 60V 2A SOT223


立创商城:
PZT651T1G


欧时:
ON Semiconductor PZT651T1G , NPN 晶体管, 2 A, Vce=60 V, HFE:40, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装


e络盟:
单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 75 MHz, 800 mW, 2 A, 75 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 2A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 2A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  PZT651T1G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 75 MHz, 800 mW, 2 A, 75 hFE


Win Source:
TRANS NPN 60V 2A SOT223


DeviceMart:
TRANS SS HC NPN 2A 60V SOT223


PZT651T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 75 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 2 A

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 800 mW

增益频宽积 75 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 75 @1A, 2V

额定功率Max 800 mW

直流电流增益hFE 75

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

重量 0.004535924 kg

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

PZT651T1G引脚图与封装图
PZT651T1G引脚图
PZT651T1G封装焊盘图
在线购买PZT651T1G
型号: PZT651T1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  PZT651T1G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 75 MHz, 800 mW, 2 A, 75 hFE
替代型号PZT651T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

当前型号

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NZT651

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