PDTC124EM,315参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTC124EM,315概述

DFN NPN 50V 100mA

Bipolar BJT Transistor

得捷:
NEXPERIA PDTC124EM - SMALL SIGNA

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin DFN T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin DFN T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-101 T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin DFN T/R

PDTC124EM,315中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-101-3

外形尺寸

高度 0.47 mm

封装 SC-101-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTC124EM,315

型号： PDTC124EM,315

制造商： NXP 恩智浦

描述：DFN NPN 50V 100mA

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替代型号PDTC124EM,315

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PDTC124EM,315 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PDTC124EM 安世	功能相似	PDTC124EM,315和PDTC124EM的区别

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