PMEG3010BEV,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMEG3010BEV,115概述

Diode Schottky 30V 1A 6Pin SOT-666 T/R

Diode Schottky 30 V 1A DC Surface Mount SOT-666

得捷:
NEXPERIA PMEG3010BEV - RECTIFIER

艾睿:
Diode Schottky 30V 1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

安富利:
Diode Schottky 30V 1A 6-Pin SOT-666 T/R

Win Source:
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOT666

PMEG3010BEV,115中文资料参数规格

技术参数

正向电压 560mV @1A

热阻 80℃/W RθJL

正向电压Max 560mV @1A

工作结温 150℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMEG3010BEV,115

型号： PMEG3010BEV,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：Diode Schottky 30V 1A 6Pin SOT-666 T/R

替代型号PMEG3010BEV,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PMEG3010BEV,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PMEG3010BEV,115

NXP 恩智浦

当前型号