600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Specification Features • 600 Watts Suface Mount Transient Voltage Suppressor • Working Peak Reverse Voltage Range − 5.8 to 171 V • Standard Zener Breakdown Voltage Range − 6.8 to 200 V • Peak Power − 600 W @ 1 ms • ESD Rating of Class 3 >16 KV per Human Body Model • Maximum Clamp Voltage @ Peak Pulse Current • Low Leakage < 5 uA Above 10 V • UL 497B for Isolated Loop Circuit Protection • Response Time is Typically < 1 ns • Pb−Free Packages are Available
得捷:
TVS DIODE 53VWM 85VC 425-TEPBGA
立创商城:
Vrwm:53V 600W
欧时:
### 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 53V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 53V 600W 2-Pin SMB T/R
富昌:
P6SMB62AT3G 系列 600 W 62 V 单向 表面贴装 TVS 二极管 - DO-214AA SMB
Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 53V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 53V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR P6SMB62AT3G TVS Diode, P6SMB Series, Unidirectional, 53 V, 85 V, DO-214AA, 2 Pins
Win Source:
TVS DIODE 53VWM 85VC SMB
额定电压DC 62.0 V
工作电压 53 V
额定功率 600 W
击穿电压 62 V
电路数 1
钳位电压 85 V
最大反向电压(Vrrm) 53V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 65.1 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 58.9 V
击穿电压 58.9 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA
长度 4.6 mm
宽度 3.95 mm
高度 2.27 mm
封装 DO-214AA
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
P6SMB62AT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
P6SMB62AT3 安森美 | 类似代替 | P6SMB62AT3G和P6SMB62AT3的区别 |
SZP6SMB62AT3G 安森美 | 类似代替 | P6SMB62AT3G和SZP6SMB62AT3G的区别 |
SMBJ43CA 力特 | 功能相似 | P6SMB62AT3G和SMBJ43CA的区别 |