P4KE8.2A-G

P4KE8.2A-G图片1
P4KE8.2A-G图片2
P4KE8.2A-G概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS AXIAL 7V 400W

Stand-off Voltage: 6.8 ~ 600V

Power Dissipation: 400 Watts

RoHS Device

Features

-Glass passivated chip

-Low leakage

-Uni and Bidirection unit

-Excellent clamping capability

-The plastic material has UL recognition 94V-0

-Fast response time: typically less than 1.0pS from 0 volts to BV min


立创商城:
Vrwm:7V 400W


得捷:
TVS DIODE 7VWM 12.1VC DO41


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS AXIAL 7V 400W


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 7V 400W 2-Pin DO-41 Ammo


P4KE8.2A-G中文资料参数规格
技术参数

工作电压 7 V

击穿电压 7.79 V

耗散功率 1 W

钳位电压 12.1 V

测试电流 10 mA

脉冲峰值功率 400 W

最小反向击穿电压 7.79 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41-2

外形尺寸

封装 DO-41-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

P4KE8.2A-G引脚图与封装图
P4KE8.2A-G引脚图
P4KE8.2A-G封装图
P4KE8.2A-G封装焊盘图
在线购买P4KE8.2A-G
型号: P4KE8.2A-G
制造商: Comchip Technology 上华科技
描述:ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS AXIAL 7V 400W
替代型号P4KE8.2A-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

P4KE8.2A-G

Comchip Technology 上华科技

当前型号

当前型号

BZW04P7V0

威世

功能相似

P4KE8.2A-G和BZW04P7V0的区别

P4KE8.2-G

Sensitron Semiconductor

功能相似

P4KE8.2A-G和P4KE8.2-G的区别

P4KE8.2A

美高森美

功能相似

P4KE8.2A-G和P4KE8.2A的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司