PHPT60610PYX

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PHPT60610PYX概述

PNP high power bipolar transistor in a SOT669 LFPAK56 Surface-Mounted Device SMD power plastic package. NPN complement: PHPT60610NY

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 10A 85MHz 1.5W Surface Mount LFPAK56, Power-SO8


得捷:
PHPT60610PY - 60 V, 10A PNP HIGH


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 25000mW Automotive 5-Pin4+Tab LFPAK T/R


安富利:
PNP high power bipolar transistor in a SOT669 LFPAK56 Surface-Mounted Device SMD power plastic package.NPN complement: PHPT60610NY


Verical:
PNP high Power bipolar transistor


Win Source:
PHPT60610PY - 60 V, 10A PNP HIGH / Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 10 A 85MHz 1.5 W Surface Mount LFPAK56, Power-SO8


PHPT60610PYX中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 2V

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Pre-Release

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHPT60610PYX
型号: PHPT60610PYX
制造商: NXP 恩智浦
描述:PNP high power bipolar transistor in a SOT669 LFPAK56 Surface-Mounted Device SMD power plastic package. NPN complement: PHPT60610NY

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