PDTB113ZK,115

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PDTB113ZK,115概述

MPAK PNP 50V 500mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-7


PDTB113ZK,115中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTB113ZK,115
型号: PDTB113ZK,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:MPAK PNP 50V 500mA
替代型号PDTB113ZK,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTB113ZK,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BCR573E6327HTSA1

英飞凌

功能相似

PDTB113ZK,115和BCR573E6327HTSA1的区别

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