NXP PDTA123JT 单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 100 hFE
The is a 2.2 to 47kR PNP Resistor Equipped Transistor RET in a small surface-mount plastic package.
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- Reduces component count
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- Built-in bias resistors
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- Reduces pick and place costs
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- Simplifies circuit design
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- AEC-Q101 qualified
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- NPN complement is PDTC123JT
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- 23 Marking code
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Automotive, Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTA123JT NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTA123JT,215 恩智浦 | 功能相似 | PDTA123JT和PDTA123JT,215的区别 |