PDTC123JU,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 10V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
宽度 1.35 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买PDTC123JU,115
型号： PDTC123JU,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PDTC123JU,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE
替代型号PDTC123JU,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTC123JU,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC114EEBTL 罗姆半导体 | 功能相似 | PDTC123JU,115和DTC114EEBTL的区别 |
FJX3013RTF 飞兆/仙童 | 功能相似 | PDTC123JU,115和FJX3013RTF的区别 |