PZTA42,115

PZTA42,115图片1
PZTA42,115图片2
PZTA42,115图片3
PZTA42,115图片4
PZTA42,115图片5
PZTA42,115图片6
PZTA42,115图片7
PZTA42,115图片8
PZTA42,115图片9
PZTA42,115图片10
PZTA42,115图片11
PZTA42,115图片12
PZTA42,115中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 1.2 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 25 @1mA, 10V

额定功率Max 1.2 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PZTA42,115
型号: PZTA42,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号PZTA42,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PZTA42,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PZTA42

恩智浦

完全替代

PZTA42,115和PZTA42的区别

PZTA42T1G

安森美

功能相似

PZTA42,115和PZTA42T1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台