PMBFJ309 系列 25 Vds 50 mA N 通道 硅 场效应晶体管 - TO-236AB
N 通道 JFET,
得捷:
JFET N-CH 25V SOT23
欧时:
NXP PMBFJ309,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: 12 → 30mA, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
贸泽:
RF JFET Transistors TAPE7 FET-RFSS
艾睿:
Trans JFET N-CH 25V Si 3-Pin TO-236AB T/R
安富利:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R
富昌:
PMBFJ309 Series 25 Vds 50 mA N-Ch silicon field-effect Transistors - SOT-23
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V Si 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans JFET N-CH 25V Si Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Newark:
# NXP PMBFJ309,215 RF FET Transistor, 25 V, 30 mA, 250 mW, SOT-23
RfMW:
PMBFJ309/SOT23/REELLP//
Win Source:
JFET N-CH 25V 250MW SOT23
击穿电压 -25.0 V
针脚数 3
漏源极电阻 50 Ω
耗散功率 250 mW
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
栅源击穿电压 25 V
击穿电压 25 V
输入电容Ciss 5pF @10VVds
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PMBFJ309,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMBFJ308,215 恩智浦 | 完全替代 | PMBFJ309,215和PMBFJ308,215的区别 |
PMBFJ310,215 恩智浦 | 完全替代 | PMBFJ309,215和PMBFJ310,215的区别 |
PMBFJ308 恩智浦 | 完全替代 | PMBFJ309,215和PMBFJ308的区别 |