PMBFJ309,215

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PMBFJ309,215概述

PMBFJ309 系列 25 Vds 50 mA N 通道 硅 场效应晶体管 - TO-236AB

N 通道 JFET,


得捷:
JFET N-CH 25V SOT23


欧时:
NXP PMBFJ309,215 N通道 JFET 晶体管, Vds=25 V, Idss: 12 → 30mA, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装


贸泽:
RF JFET Transistors TAPE7 FET-RFSS


艾睿:
Trans JFET N-CH 25V Si 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
PMBFJ309 Series 25 Vds 50 mA N-Ch silicon field-effect Transistors - SOT-23


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V Si 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 25V Si Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  PMBFJ309,215  RF FET Transistor, 25 V, 30 mA, 250 mW, SOT-23


RfMW:
PMBFJ309/SOT23/REELLP//


Win Source:
JFET N-CH 25V 250MW SOT23


PMBFJ309,215中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 -25.0 V

针脚数 3

漏源极电阻 50 Ω

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

栅源击穿电压 25 V

击穿电压 25 V

输入电容Ciss 5pF @10VVds

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMBFJ309,215
型号: PMBFJ309,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:PMBFJ309 系列 25 Vds 50 mA N 通道 硅 场效应晶体管 - TO-236AB
替代型号PMBFJ309,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMBFJ309,215

NXP 恩智浦

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当前型号

PMBFJ308,215

恩智浦

完全替代

PMBFJ309,215和PMBFJ308,215的区别

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PMBFJ308

恩智浦

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