PSMN2R7-30PL,127

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PSMN2R7-30PL,127中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 170 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 3954pF @12VVds

额定功率Max 170 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN2R7-30PL,127
型号: PSMN2R7-30PL,127
制造商: NXP 恩智浦
描述:PSMN2R 系列 30 V 2.7 mΩ 逻辑电平 170 N-沟道 Mosfet - TO-220AB

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