









PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457
Bipolar BJT Transistor
得捷:
TRANS PNP 50V 3A 6TSOP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 3A Automotive 6-Pin TSOP T/R
安富利:
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal BISS transistor in a small SOT457 SC-74 Surface-Mounted Device SMD plastic package. NPN complement: PBSS4350D
富昌:
PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457
Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 3A Automotive 6-Pin TSOP T/R
Newark:
# NXP PBSS5350D,115 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -50 V, 100 MHz, 600 mW, -3 A, 200 hFE
Win Source:
TRANS PNP 50V 3A 6TSOP
频率 100 MHz
极性 PNP
耗散功率 600 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V
最大电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
额定功率Max 750 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
高度 1 mm
封装 SC-74-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS5350D,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS5350D 恩智浦 | 完全替代 | PBSS5350D,115和PBSS5350D的区别 |
DSS5240T-7 美台 | 功能相似 | PBSS5350D,115和DSS5240T-7的区别 |
MBT35200MT1 安森美 | 功能相似 | PBSS5350D,115和MBT35200MT1的区别 |