PBSS5350D,115

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PBSS5350D,115概述

PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457

Bipolar BJT Transistor


得捷:
TRANS PNP 50V 3A 6TSOP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 3A Automotive 6-Pin TSOP T/R


安富利:
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal BISS transistor in a small SOT457 SC-74 Surface-Mounted Device SMD plastic package. NPN complement: PBSS4350D


富昌:
PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457


Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 3A Automotive 6-Pin TSOP T/R


Newark:
# NXP  PBSS5350D,115  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -50 V, 100 MHz, 600 mW, -3 A, 200 hFE


Win Source:
TRANS PNP 50V 3A 6TSOP


PBSS5350D,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 600 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V

最大电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

额定功率Max 750 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-74-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SC-74-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买PBSS5350D,115
型号: PBSS5350D,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457
替代型号PBSS5350D,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS5350D,115

NXP 恩智浦

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PBSS5350D

恩智浦

完全替代

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