PSMN1R7-60BS,118概述
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R7-60BS,118, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
N 通道 MOSFET，60V 至 80V，Nexperia
得捷:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
DeviceMart:
MOSFET N CH 60V 120A D2PAK
PSMN1R7-60BS,118中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 306W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 56 ns
输入电容Ciss 9997pF @30VVds
额定功率Max 306 W
下降时间 49 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 306W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 11 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PSMN1R7-60BS,118
型号： PSMN1R7-60BS,118
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R7-60BS,118, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装