PSMN063-150D,118参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN063-150D,118中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 2390pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 38 ns

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN063-150D,118

型号： PSMN063-150D,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：PSMN 系列 150 V 63 mΩ 150 W N 沟道增强模式晶体管 - SOT-428

替代型号PSMN063-150D,118

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