PMF170XP,115概述
NXP Si P沟道 MOSFET PMF170XP,115, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装
P 通道 MOSFET，Nexperia
得捷:
MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
富昌:
P-Channel 20 V 200 mΩ 290 mW 2.6 nC Surface Mount Trench MosFet SMT - SOT-323
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
PMF170XP,115中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 290mW Ta, 1.67W Tc
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1A
输入电容Ciss 280pF @10VVds
额定功率Max 290 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 290mW Ta, 1.67W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
在线购买PMF170XP,115
型号： PMF170XP,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP Si P沟道 MOSFET PMF170XP,115, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装