PSMN038-100K参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN038-100K中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.5 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 6.3A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 1740pF @25VVds

额定功率Max 3.5 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.45 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买PSMN038-100K

型号： PSMN038-100K

制造商： NXP 恩智浦

描述：N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

替代型号PSMN038-100K