PBSS4120T,215

PBSS4120T,215图片1
PBSS4120T,215图片2
PBSS4120T,215图片3
PBSS4120T,215图片4
PBSS4120T,215图片5
PBSS4120T,215图片6
PBSS4120T,215概述

低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia

低饱和电压 NPN ,

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。

### 双极晶体管,Nexperia


得捷:
TRANS NPN 20V 1A TO236AB


欧时:
Nexperia PBSS4120T,215 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=20 V, HFE:280, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装


立创商城:
NPN 20V 1A


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 300 mW, 1 A, 280 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 20V 1A 480mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Win Source:
TRANS NPN 20V 1A SOT23


PBSS4120T,215中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.3 W

针脚数 3

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

最小电流放大倍数hFE 300 @500mA, 2V

额定功率Max 480 mW

直流电流增益hFE 280

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 480 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 工业, 消费电子产品, 照明, 信号处理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PBSS4120T,215
型号: PBSS4120T,215
制造商: Nexperia 安世
描述:低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
替代型号PBSS4120T,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS4120T,215

Nexperia 安世

当前型号

当前型号

PBSS4120T

安世

功能相似

PBSS4120T,215和PBSS4120T的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司